三星在 SFF 2024 上展示 AI 时代愿景和最新代工技术 – 三星全球新闻中心
揭晓尖端 2nm 和 4nm 工艺节点，并提供交钥匙三星 AI 解决方案以满足日益增长的 AI 需求 SAFE 论坛和首届 MDI 联盟研讨会将于 SFF 后第二天举行，以促进更紧密的合作并讨论先进的封装设计 全球领先的先进半导体技术供应商三星电子今天在加利福尼亚州圣何塞的设备解决方案美国总部举行的年度盛会——美国三星代工论坛 (SFF) 上展示了其最新的代工创新技术，并概述了其对人工智能时代的愿景。 在“赋能人工智能革命”的主题下，三星宣布了其强化工艺技术路线图，包括两个新的尖端节点——SF2Z 和 SF4U，以及利用其代工、内存和高级封装（AVP）业务独特优势的集成三星人工智能解决方案平台。 三星电子总裁兼代工业务负责人崔时永博士表示：“在众多技术围绕人工智能不断发展的时代，实现人工智能的关键在于高性能、低功耗的半导体。除了针对人工智能芯片优化的成熟 GAA 工艺外，我们还计划推出集成式共封装光学 (CPO) 技术，以实现高速、低功耗的数据处理，为我们的客户提供在这个变革时代蓬勃发展所需的一站式人工智能解决方案。” 此次活动邀请了 Arm 首席执行官 Rene Haas 和 Groq 首席执行官 Jonathan Ross 等杰出的行业思想领袖发表演讲，他们登台强调了与三星在应对新的 AI 挑战方面建立的稳固合作伙伴关系。约有 30 家合作伙伴公司在展位上展出，进一步凸显了美国代工生态系统的动态合作。 利用最先进的工艺技术路线图为客户 AI 解决方案赋能 三星宣布推出两种新工艺节点SF2Z和SF4U，强化其领先的工艺技术路线图。 该公司最新的 2nm 工艺 SF2Z 采用了优化的背面供电网络 (BSPDN) 技术，该技术将电源轨置于晶圆背面，以消除电源线和信号线之间的瓶颈。与第一代 2nm 节点 SF2 […]
三星还将在 IEEE-SSCC 上展示 280 层 3D QLC NAND 闪存、32 Gbit DDR5-8000 存储芯片
除了 37 Gbps GDDR7 显存三星电子准备在 2024 年 IEEE-SSCC 上展示其他几项内存创新（由 VideoCardz 编译）。 首先，该公司展示了密度为 1 Tb 的新型 280 层 3D QLC NAND 闪存，可支持下一代主流 SSD 和智能手机存储。 该芯片的面密度为 28.5 Gb/mm²，速度为 3.2 GB/s。 从这个角度来看，为当前旗舰 NVMe SSD 提供支持的最快 3D NAND 闪存类型依赖于 2.4 GB/s 的 I/O 数据速率。 接下来是新一代 DDR5 内存芯片，提供 DDR5-8000 的数据速率和 32 Gbit (4 GB) 的密度。 该芯片采用对称镶嵌 DRAM 单元架构，基于三星针对 DRAM 产品进行优化的第五代 […]