俄罗斯宣布自研EUV光刻机，中国网友欢呼：有老大哥相助，华为才能得救！ – 海峡两岸
据中国媒体报道，俄罗斯公布了自主研发EUV（极紫外光）光刻机的路线图。这个EUV光刻系统与ASML有不同的标准，但它的目标是比ASML的光刻系统更好。机器更便宜且更容易制造。有大陆网友在网上留言对此表示质疑，也有网友热情欢呼：“突破欧美光刻机封锁的还是老大哥的力量，中芯国际有救了，华为有救了！” 中国媒体《新知讯》援引聚合新闻网Cnews报道称，俄罗斯自主研发的光刻机采用11.2nm激光光源，而非ASML标准13.5nm。该波长与现有的 EUV 设备不兼容，需要俄罗斯开发自己的光刻生态系统，这可能需要 10 年或更长时间。 据报道，光刻机研制计划由俄罗斯科学院微结构物理研究所的Nikolay Chkhalo牵头。目标是打造具有竞争性能和成本优势的光刻机。它采用11.2nm氙基激光光源来替代ASML基于激光轰击金属锡（锡）液滴的系统来产生EUV光源。 11.2nm波长可将分辨率提升约20%，不仅简化设计、降低光学元件成本，还能呈现更精细的细节。 俄罗斯公布了独立开发EUV光刻机的路线图，但预计至少需要10年时间才能开发出这一光刻生态系统。 （图/新知讯） 此外，该设计还减少了光学元件的污染，并延长了收集器和保护膜等关键部件的使用寿命。虽然这款光刻机的晶圆制造能力只有ASML设备的37%，主要是因为其光源功率只有3.6千瓦，但足以满足小规模晶圆生产的需求。 报告称，基于11.2nm波长的工具很难与现有的基于13.5nm的EUV架构和生态系统直接兼容，甚至电子设计自动化（EDA）工具也需要更新。尽管现有的EDA工具仍然可以完成逻辑综合、布局和布线等基本步骤，但涉及曝光的关键工艺需要重新校准或升级到适合11.2nm的新工艺模型。 报道指出，光刻机的研发工作将分为三个阶段。第一阶段将重点开展基础研究、关键技术鉴定和初步部件测试；第二阶段将制造晶圆原型并将其集成到晶圆生产线中；第三阶段的目标是创建一个可在工厂中使用的系统。不过，目前尚不清楚这些新的曝光工具将支持哪些工艺技术，路线图也没有提及每个阶段的完成时间表。 相关报道引起中国大陆众多网友热议。有网友欢呼：“中芯国际有救了，华为有救了！能突破欧美光刻机封锁的就是老大哥了。” “激光会非常困难。但是，ASML的解决方案并不是最优方案，只能说是一步一步走出来的产物。”缺点太明显了。许多国家现在正在研究其他 EUV 解决方案。” 更有网友对此消息讽刺：“你看，那头母猪正在爬树。” “已经在中国上市了，25年后正式公布。” “好吧，还是等Goose光刻机上市吧，等一下。” “终于看到有人比某家公司吹嘘自己的研究了……”“朝鲜已经说登陆太阳了，它的两个老大哥还在研究光刻机呢。” 文章来源：俄罗斯自研EUV光刻机方案曝光：采用11.2nm光源，每小时可加工60片12英寸晶圆 #俄罗斯宣布自研EUV光刻机中国网友欢呼有老大哥相助华为才能得救 #海峡两岸 1734741198 2024-12-20 13:05:00