Kioxia 的 1,000 层 NAND 计划将带来 SSD 密度的大幅提升
前瞻性： 日本内存制造商 Kioxia 有一些令人鼓舞的消息，可能会大幅提高 SSD 密度。在首尔举行的国际内存技术研讨会上，该公司制定了一份雄心勃勃的路线图，到 2027 年实现惊人的 1,000 层 3D NAND 闪存。但要实现这一目标绝非易事。 Kioxia 的预测如下： 覆盖 日本媒体 PC Watch 报道称，该公司根据过去的趋势推断并改进现有的 NAND 单元技术。该公司预计，NAND 芯片密度将在三年内达到 100 Gbit/mm²，存储单元层数为 1,000。要实现这一目标，增长率必须保持在每年 1.33 倍。 3D NAND 层数确实迅速增加，从 2014 年的 24 层增加到 2022 年的 238 层——不到十年的时间增长了十倍。去年，SK Hynix 甚至展示了 321 层 1 Tb TLC 4D NAND 芯片样品。 然而，扩展到四位数的层数并非易事。据存储新闻网站 块和文件，使用 3D NAND 实现更高密度不仅仅是在芯片上添加更多层。每层都需要一个暴露的边缘来实现存储单元之间的连接，从而形成阶梯状的芯片轮廓。因此，随着层数的增加，阶梯结构所占用的面积会大幅增加，从而抵消部分密度增益。 为了弥补这一点，内存制造商需要在向 […]