Kioxia 的 1,000 层 NAND 计划将带来 SSD 密度的大幅提升
前瞻性： 日本内存制造商 Kioxia 有一些令人鼓舞的消息，可能会大幅提高 SSD 密度。在首尔举行的国际内存技术研讨会上，该公司制定了一份雄心勃勃的路线图，到 2027 年实现惊人的 1,000 层 3D NAND 闪存。但要实现这一目标绝非易事。 Kioxia 的预测如下： 覆盖 日本媒体 PC Watch 报道称，该公司根据过去的趋势推断并改进现有的 NAND 单元技术。该公司预计，NAND 芯片密度将在三年内达到 100 Gbit/mm²，存储单元层数为 1,000。要实现这一目标，增长率必须保持在每年 1.33 倍。 3D NAND 层数确实迅速增加，从 2014 年的 24 层增加到 2022 年的 238 层——不到十年的时间增长了十倍。去年，SK Hynix 甚至展示了 321 层 1 Tb TLC 4D NAND 芯片样品。 然而，扩展到四位数的层数并非易事。据存储新闻网站 块和文件，使用 3D NAND 实现更高密度不仅仅是在芯片上添加更多层。每层都需要一个暴露的边缘来实现存储单元之间的连接，从而形成阶梯状的芯片轮廓。因此，随着层数的增加，阶梯结构所占用的面积会大幅增加，从而抵消部分密度增益。 为了弥补这一点，内存制造商需要在向 […]
BiCS8、WD 和 Kioxia 推出 256GB 3D NAND QLC 内存，触手可及
在近几个月进行了调侃并谈论了 TLC 版本之后，西部数据和 Kioxia 宣布了他们的下一代 3D NAND QLC 内存，即 BiCS8。 这个小芯片适合您的指尖，可提供 2 太比特的存储空间，或者如果您更喜欢相当于 256 GB 的数据：这是行业的新记录。 这两家公司已经合作了一段时间，并且经常有传言要合并为一个实体（目前尚未发生），过去已经实现了每个芯片内存容量的记录，即 1.33 太比特 BiCS4。 其他制造商目前已将 3D NAND TLC 和 QLC 的最大容量限制为每个芯片 1 太比特 (128 GB)。 目前，其他技术规格仍供不应求，例如密度，即 Gbit/mm2，三星的 V-NAND QLC V9 内存在这方面表现出色，只有一半的存储空间，但以 28.5 Gbit/mm2 创下了历史新高。新的终点线。 BiCS8 与 BiCS6 新的 QLC BiCS8 还将在读取延迟和写入吞吐量方面提供更高的性能。 同时，书写时的耐力和能量效率也要提高。 BiCS8 的基础是 CBA 技术，或者如果您更喜欢“CMOS 直接键合到阵列”：存储单元层在一个晶圆上创建，在本例中为 218 层，在另一晶圆上创建逻辑电路，随后仅在两个晶圆上创建存储单元层。通过晶圆键合将它们集成到一个存储芯片中。 […]