中国芯片制造稳步发展，新工具层出不穷，但仍无法与 ASML 相媲美

根据中国政府公布的标准，中国半导体行业正在继续逐步推进国产光刻工具的发展，但分析人士表示，中国尚未实现赶上荷兰阿斯麦公司 (ASML) 所需的巨大飞跃。

负责监管中国芯片行业的工业和信息化部 (MIIT) 本月早些时候公布了一份新工具清单，旨在推动国内芯片制造商使用这些工具。虽然这份清单包含了从制造集成电路到采矿和冶金等制造过程各个环节使用的大量工具，但两台光刻扫描仪尤其引起了国际媒体的关注，被认为是中国最新进展的标志。

据工信部文件显示，其中一台扫描仪搭载波长为 248 纳米、套刻精度低于 25 纳米的氟化氪 (KrF) 光源，可在 12 英寸晶圆上实现 110 纳米的生产分辨率。另一台系统采用更先进的波长为 193 纳米、套刻精度低于 8 纳米的氟化氩 (ArF) 光源，可在 12 英寸晶圆上实现 65 纳米的生产分辨率。

工信部没有具体说明这些机器的制造商，也没有说明这些机器每小时可以生产多少晶圆。更重要的是，工信部文件没有提供这些机器的特征对准能力的细节，而这可能表明这些机器的先进程度。

自去年 10 月以来，华盛顿对中国出口的限制规定了使用专用卡盘叠加 (DCO) 的系统允许的精度水平，专用卡盘叠加是测量同一台机器曝光的两层之间的特征错位的标准。一种更复杂的标准称为匹配机器叠加，用于检查使用不同机器创建的图案的对齐情况。现代制造厂通常使用不同的机器在同一晶圆上打印特征，以制造包含数十亿个晶体管的芯片。