三星全新 microSD 卡为移动计算和设备端人工智能新时代带来高性能和大容量 – Samsung Global Newsroom

三星推出业界首款 256GB SD Express microSD 卡样品，其速度比当前接口快四倍以上

三星基于最新 V-NAND 技术的 1TB UHS-1 microSD 卡已量产

先进存储技术的全球领导者三星电子今天宣布，其 256 GB1 SD Express2 microSD 卡已开始提供样品，顺序读取速度高达每秒 800 兆字节 (MB/s)，并已开始批量生产生产 1 太字节 (TB)3 UHS-1 microSD 卡。 通过推出下一代 microSD 卡系列，三星旨在提供未来移动计算和设备上人工智能应用所需的差异化内存解决方案。

三星电子内存品牌产品业务团队副总裁 Hangu Sohn 表示：“通过我们的两款新型 microSD 卡，三星提供了有效的解决方案，以满足移动计算和设备上人工智能日益增长的需求。” “尽管尺寸很小，但这些存储卡提供了类似于 SSD 的强大性能和容量，可帮助用户从要求严格的现代和未来应用程序中获得更多收益。”

业界首款 SD Express microSD 卡最高速度可达 800 MB/s

三星在业界首次推出基于 SD Express 接口的新型高性能 microSD 卡。 该开发是与客户成功合作创建定制产品的结果。

凭借其低功耗设计以及针对高性能和热管理进行优化的固件技术，三星的 SD Express microSD 卡在外形尺寸较小的情况下提供了与 SSD 相当的性能。 虽然基于 UHS-1 接口的传统 microSD 卡的读取速度仅限于 104MB/s，但 SD Express 能够将其提高到 985MB/s，尽管后者的商业可用性迄今为止在 microSD 卡中尚不可行。

三星 SD Express microSD 卡的顺序读取速度高达 800MB/s — 比 SATA SSD（高达 560 MB/s）快 1.4 倍，比传统 UHS-1 存储卡（高达 200 MB/s）快四倍以上/s），从而改善各种应用程序（包括 PC 和移动设备）的计算体验。 为了确保小尺寸的稳定性能和可靠性，动态热防护 (DTG) 技术即使在长时间使用期间也能保持 SD Express microSD 卡的最佳温度。

具有尖端 1Tb V-NAND 的 1TB UHS-1 microSD 卡

三星的新型 1TB microSD 卡在 microSD 外形尺寸内堆叠了该公司第八代 1 太比特 (Tb) V-NAND 的八层，实现了过去只能在 SSD 中实现的高容量封装。 全新1TB microSD卡通过了业界最严格的测试设置，即使在充满挑战的环境下也能可靠使用，具有防水、极端温度、防摔设计、磨损保护以及X射线和磁性保护等功能.4

可用性

256GB SD Express microSD 卡将于今年晚些时候上市，1TB UHS-1 microSD 卡将于今年第三季度推出。

1 1 千兆字节 (GB) = 1,000,000,000 字节（10 亿字节）。 实际可用容量可能有所不同。
2 SD Express：采用 PCIe Gen3x1 的新型 SD 卡接口（基于 2019 年 2 月发布的 SD 7.1 规范），SD Express 卡的理论传输速度为 985MB/s
3 1 太字节 (TB) = 1,000,000,000,000 字节（1 万亿字节）。 实际可用容量可能有所不同
4 对于因存储卡数据恢复而造成的任何数据损坏和/或丢失或费用，三星不承担任何责任。 声称的六张证明仅适用于 1TB UHS-1 microSD 卡，不适用于 256GB SD Express microSD 卡。 1M深度，盐水，72小时。 工作温度为 -25℃ 至 85℃（-13°F 至 185°F），非工作温度为 -40℃ 至 85℃（-40°F 至 185°F）。 可承受标准机场 X 光机（高达 100mGy）。 相当于高场 MRI 扫描仪的磁场（高达 15,000 高斯）。 可承受高达 5 米（16.4 英尺）的跌落。 最多 10,000 次滑动。

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2024-02-28 02:05:11
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