中国团队利用新光源在芯片设计上取得质的飞跃

来自电子科技大学（UESTC）、清华大学和上海微系统与信息技术研究所的团队表示，该设备在构建小型、坚固的量子芯片方面具有“巨大潜力”。

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他们上个月在《物理评论快报》杂志上报道，与现有基于氮化硅和磷化铟等材料的量子光源相比，新器件具有更宽的波长范围，可用于构建量子电路的其他主要组件。

“我们证明氮化镓是光子量子信息的良好量子材料平台，其中量子光的产生至关重要，”电子科技大学的主要作者周强告诉《物理》杂志。

“氮化镓平台为在不久的将来推进光子量子芯片提供了广阔的前景。”

德国达姆施塔特工业大学的量子光学专家托马斯·瓦尔特 (Thomas Walther) 告诉《物理杂志》，这项工作是“向前迈出的一大步”，因为它可以降低制造此类系统的成本，并使它们比今天更加紧凑和坚固。

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周告诉《物理杂志》，GaN 环产生的纠缠程度与其他量子光源测量的水平“相当”。

“通过提供更多的波长资源，我们将能够满足更多用户希望通过不同波长接入量子网络的需求，”周周四告诉科技日报。

他们表示：“与现有平台相比，GaN 平台在全片量子光子集成电路方面具有相当大的前景。”