更大、更快、更便宜。 三星向新一代 SSD 迈出了重要一步 – Živě.cz

三星 起飞 第9代分层NAND存储器的量产，将带来SSD的更高速度和容量，或者在保持现有容量的同时降低价格。 经过11年的发展，它已经从24层发展到现在的290层。

这是制造商迄今为止的记录值。 其韩国竞争对手SK海力士已经展示了321层芯片的样品，但要到一年后才能开始量产。 三星可能也将完成下一代产品。 该公司预计到 2030 年将突破 1000 层大关。这是一个非常雄心勃勃的计划，因为推出新一代芯片需要大约一年半的时间，而且新芯片不会经过数百层。

无论如何，三星宣称它已经找到了一种在未来增加更多“楼层”的方法。 它生产了世界上最小的存储单元，相同体积内的容量比上一代产品多出 50%。 他改进了它们的绝缘性并延长了使用寿命。 因此，各个层更薄，垂直数据和能量通道更有效。

新技术带来了 TLC 类型的 1Tb 芯片，今年下半年将添加 QLC。 三星还将速度从 2.4 Gbps 提高到 3.2 Gbps，同时功耗下降了 10%。

在接下来的几个月中，三星可能会发布首款适用于 PCIe 5.0 接口的真正快速 SSD。 990 EVO系列已经使用了它，但它只是浪费了潜力。 但新芯片更有前途。 SSD 上的一个机箱中通常最多可放置 16 个。 因此，一只“蟑螂”可以拥有 2 TB 的容量和 6.4 GB/s 的吞吐量。 然后将其中两个或四个连接到控制器。

三星新一代 V-NAND 芯片

V-NAND 层 初始容量版本 第一代 24 128 Gb 08/2013 第二代 32 128 Gb 05/2014 第三代 48 256 Gb 08/2015 第四代 64 256 Gb 06/2017 第五代 96 256 Gb 07/2017 /2018 第六代第 1 代 136 256 Gb 08/2019 第 7 代 176 512 Gb 06/2021 第 8 代 236 1 Tb 11/2022 第 9 代 290 1 Tb 04/2024