BiCS8、WD 和 Kioxia 推出 256GB 3D NAND QLC 内存，触手可及

在近几个月进行了调侃并谈论了 TLC 版本之后，西部数据和 Kioxia 宣布了他们的下一代 3D NAND QLC 内存，即 BiCS8。 这个小芯片适合您的指尖，可提供 2 太比特的存储空间，或者如果您更喜欢相当于 256 GB 的数据：这是行业的新记录。

这两家公司已经合作了一段时间，并且经常有传言要合并为一个实体（目前尚未发生），过去已经实现了每个芯片内存容量的记录，即 1.33 太比特 BiCS4。 其他制造商目前已将 3D NAND TLC 和 QLC 的最大容量限制为每个芯片 1 太比特 (128 GB)。

目前，其他技术规格仍供不应求，例如密度，即 Gbit/mm2，三星的 V-NAND QLC V9 内存在这方面表现出色，只有一半的存储空间，但以 28.5 Gbit/mm2 创下了历史新高。新的终点线。

BiCS8 与 BiCS6

新的 QLC BiCS8 还将在读取延迟和写入吞吐量方面提供更高的性能。 同时，书写时的耐力和能量效率也要提高。

BiCS8 的基础是 CBA 技术，或者如果您更喜欢“CMOS 直接键合到阵列”：存储单元层在一个晶圆上创建，在本例中为 218 层，在另一晶圆上创建逻辑电路，随后仅在两个晶圆上创建存储单元层。通过晶圆键合将它们集成到一个存储芯片中。 类似的原理（Xtacking）是中国长江存储的记忆基础。

目前尚不清楚我们何时会在市场上看到 BiCS8 内存，Kioxia 的内存实际上只是预览版，并且一如既往，在批量生产之前，一些客户需要进行样品阶段。